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    Micro LED

    Micro LED被业界誉为“终极显示技术”,它将撬动万亿元级的市场。

    8英寸及以上的硅衬底GaN搭配硅CMOS驱动晶圆的Micro-LED技术,未来可以利用集成电路制造产线生产,是制造低成本、高良率的Micro-LED的理想路线。

    我们利用近二十载的硅衬底GaN技术技术和产业化积累,持续突破大尺寸硅衬底GaN基蓝、绿、红光Micro LED关键技术,致力于为全球客户提供高品质的硅衬底Micro LED外延和器件模组,助力元宇宙无限可能的应用。

    特点和优点

    从产业化角度,利用大尺寸硅衬底GaN技术制备Micro LED;

    具有低成本、高良率、无损去硅、低翘曲、CMOS兼容性等诸多优势;

    8英寸的衬底相比于4英寸的衬底,单位衬底面积的Micro LED芯片产出增加了25%;

    利用8英寸硅衬底制备Micro LED,每个显示模组的BOM成本只有4英寸蓝宝石方案上的30%(含外延、芯片和CMOS)。

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